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Silicon RF Power Mosfets - B Jayant Baliga
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B Jayant Baliga:
Silicon RF Power Mosfets - gebunden oder broschiert

ISBN: 9812561218

[SR: 5332046], Hardcover, [EAN: 9789812561213], World Scientific Publishing Company, World Scientific Publishing Company, Book, [PU: World Scientific Publishing Company], World Scientific Publishing Company, The world-wide proliferation of cellular networks has revolutionized telecommunication systems. The transition from Analog to Digital RF technology enabled substantial increase in voice traffic using available spectrum, and subsequently the delivery of digitally based text messaging, graphics and even streaming video. The deployment of digital networks has required migration to multi-carrier RF power amplifiers with stringent demands on linearity and efficiency. This book describes the physics, design considerations and RF performance of silicon power Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) that are at the heart of the power amplifiers. The recent invention and commercialization of RF power MOSFETs based on the super-linear mode of operation is described in this book for the first time. In addition to the analytical treatment of the physics, extensive description of transistor operation is provided by using the results of numerical simulations. Many novel power MOSFET structures are analyzed and their performance is compared with those of the laterally-diffused (LD) MOSFET that are currently used in 2G and 3G networks., 227544, Electrical & Electronics, 13698, Circuits, 227545, Digital Design, 226994, Electric Machinery & Motors, 13707, Electronics, 13709, Fiber Optics, 3747, Networks, 13731, Superconductivity, 173515, Engineering, 173507, Engineering & Transportation, 1000, Subjects, 283155, Books, 13818, Radio, 13809, Telecommunications & Sensors, 173515, Engineering, 173507, Engineering & Transportation, 1000, Subjects, 283155, Books, 16052201, Electricity, 226697, Electromagnetism, 14545, Physics, 75, Science & Math, 1000, Subjects, 283155, Books, 468216, Science & Mathematics, 491690, Agriculture, 491700, Astronomy & Astrophysics, 491702, Biology & Life Sciences, 491718, Chemistry, 491730, Earth Sciences, 684290011, Environmental Studies, 468218, Mathematics, 684291011, Mechanics, 491732, Physics, 465600, New, Used & Rental Textbooks, 2349030011, Specialty Boutique, 283155, Books

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ISBN: 9789812561213

Hardback, [PU: World Scientific Publishing Co Pte Ltd], The world-wide proliferation of cellular networks has revolutionized telecommunication systems. The transition from Analog to Digital RF technology enabled substantial increase in voice traffic using available spectrum, and subsequently the delivery of digitally based text messaging, graphics and even streaming video. The deployment of digital networks has required migration to multi-carrier RF power amplifiers with stringent demands on linearity and efficiency. This book describes the physics, design considerations and RF performance of silicon power Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) that are at the heart of the power amplifiers. The recent invention and commercialization of RF power MOSFETs based on the super-linear mode of operation is described in this book for the first time. In addition to the analytical treatment of the physics, extensive description of transistor operation is provided by using the results of numerical simulations. Many novel power MOSFET structures are analyzed and their performance is compared with those of the laterally-diffused (LD) MOSFET that are currently used in 2G and 3G networks., Circuits & Components

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ISBN: 9812561218

[SR: 298470], Gebundene Ausgabe, [EAN: 9789812561213], World Scientific Pub Co Inc, World Scientific Pub Co Inc, Book, [PU: World Scientific Pub Co Inc], World Scientific Pub Co Inc, 60518011, Prinzip der Elektrizität, 60516011, Elektrotechnik, 60448011, Ingenieurwesen & Technik, 60447011, Architektur, Technik & Ingenieurswesen, 54071011, Genres, 52044011, Fremdsprachige Bücher, 60618011, Telekommunikation, 60448011, Ingenieurwesen & Technik, 60447011, Architektur, Technik & Ingenieurswesen, 54071011, Genres, 52044011, Fremdsprachige Bücher, 56414011, Elektromagnetismus, 56375011, Physik, 56047011, Wissenschaft, 54071011, Genres, 52044011, Fremdsprachige Bücher, 56441011, Technologie, 56447011, Erneuerbare Energien, 56448011, Innovationen, 1320311031, Nachschlagewerke, 56444011, Nanotechnologie, 56449011, Philosophie der Technologie, 56445011, Risiken, 56446011, Sicherheit & Gesundheit, 273011011, Soziale Aspekte, 54518011, Technisches Denken & Schreiben, 56451011, Technologie & Gesellschaft, 56211011, Technologiegeschichte, 56442011, Zukunftsforschung, 56047011, Wissenschaft, 54071011, Genres, 52044011, Fremdsprachige Bücher

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2005, ISBN: 9789812561213

ID: 497174239

World Scientific Publishing Company, 2005-04. Hardcover. Used:Good., World Scientific Publishing Company, 2005-04

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2005, ISBN: 9789812561213

ID: 6773738

Hardcover, Buch, [PU: World Scientific Publishing Co Pte Ltd]

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Details zum Buch
Silicon RF Power Mosfets

- This is the first book that is devoted to Silicon RF Power MOSFETs- It can be used as a reference by practicing engineers in the telecommunications industry and as a teaching guide for RF courses at universities.

Detailangaben zum Buch - Silicon RF Power Mosfets


EAN (ISBN-13): 9789812561213
ISBN (ISBN-10): 9812561218
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2005
Herausgeber: WORLD SCIENTIFIC PUB CO (
302 Seiten
Gewicht: 0,649 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 29.09.2007 07:35:27
Buch zuletzt gefunden am 20.09.2017 19:20:34
ISBN/EAN: 9789812561213

ISBN - alternative Schreibweisen:
981-256-121-8, 978-981-256-121-3


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