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Modélisation du courant drain induit par la grille - Courant de fuite GIDL - Touhami, Abdelkader
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Touhami, Abdelkader:
Modélisation du courant drain induit par la grille - Courant de fuite GIDL - Taschenbuch

2012, ISBN: 9783841789563

[ED: Taschenbuch / Paperback], [PU: Éditions universitaires européennes], En se basant sur le modèle des bandes d énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite., DE, [SC: 0.00], Neuware, gewerbliches Angebot, 160, Selbstabholung und Barzahlung, PayPal, offene Rechnung, Banküberweisung, Internationaler Versand

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Modélisation du courant drain induit par la grille - Abdelkader Touhami
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Abdelkader Touhami:
Modélisation du courant drain induit par la grille - neues Buch

2012, ISBN: 9783841789563

ID: 177802695

En se basant sur le modèle des bandes d´énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L´effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l´existence d´un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l´effet tunnel bande à bande n´est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l´oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d´interface afin de clarifier l´impact des états d´interface sur le courant de fuite. Courant de fuite GIDL Bücher > Fremdsprachige Bücher > Französische Bücher Taschenbuch 06.02.2012 Buch (fremdspr.), Éditions universitaires européennes, .201

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2012, ISBN: 9783841789563

ID: 862608373

En se basant sur le modèle des bandes d´énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L´effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l´existence d´un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l´effet tunnel bande à bande n´est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l´oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d´interface afin de clarifier l´impact des états d´interface sur le courant de fuite. Courant de fuite GIDL Buch (fremdspr.) Taschenbuch 06.02.2012 Bücher>Fremdsprachige Bücher>Französische Bücher, Éditions universitaires européennes, .201

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Modélisation du courant drain induit par la grille - neues Buch

ISBN: 9783841789563

ID: b1e7e9e2290585335d708ab97850fa6b

Courant de fuite GIDL En se basant sur le modèle des bandes d'énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l'effet tunnel bande à bande n'est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite. Bücher / Fremdsprachige Bücher / Französische Bücher 978-3-8417-8956-3, Éditions universitaires européennes

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Modélisation du courant drain induit par la grille - neues Buch

ISBN: 9783841789563

ID: 734338361

En se basant sur le modèle des bandes d´énergie nous avons proposé un modèle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L´effet tunnel bande à bande dans le transistor est attribué non seulement à l´existence d´un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dû à l´effet tunnel bande à bande n´est plus constant pour la même valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l´oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révèlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande à bande assisté par les états d´interface afin de clarifier l´impact des états d´interface sur le courant de fuite. Courant de fuite GIDL Buch (fremdspr.) Bücher>Fremdsprachige Bücher>Französische Bücher, Éditions universitaires européennes

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