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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Viktor Sverdlov
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Viktor Sverdlov:
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - gebrauchtes Buch

ISBN: 3709103819

ID: 10861417

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. engineering,science,science and math,science and scientists,science and technology,technology Science & Math, Springer

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Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets - Sverdlov, Viktor
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Sverdlov, Viktor:
Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets - gebrauchtes Buch

ISBN: 9783709103814

ID: 9944257

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given. Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets Sverdlov, Viktor, Springer

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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Viktor Sverdlov
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Viktor Sverdlov:
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - neues Buch

ISBN: 9783709103814

ID: 9783709103814

Engineering; Electronics and Microelectronics, Instrumentation semiconductor devices, strain technique, transport modeling Books Book, Springer Science+Business Media

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This book covers modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is explored in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. Includes a rigorous overview of transport mod Versandkosten: EUR 0.00
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs als Buch von Viktor Sverdlov - Springer-Verlag KG
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs als Buch von Viktor Sverdlov - neues Buch

2011, ISBN: 9783709103814

ID: 600087836

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs ab 179.99 EURO Computational Microelectronics. Auflage 2011 Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs ab 179.99 EURO Computational Microelectronics. Auflage 2011 Bücher > Wissenschaft > Technik

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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Viktor Sverdlov
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Viktor Sverdlov:
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - gebunden oder broschiert

ISBN: 9783709103814

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Details zum Buch
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Detailangaben zum Buch - Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs


EAN (ISBN-13): 9783709103814
ISBN (ISBN-10): 3709103819
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: Springer-Verlag KG
252 Seiten
Gewicht: 0,633 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 09.04.2011 21:17:05
Buch zuletzt gefunden am 02.01.2018 07:58:04
ISBN/EAN: 9783709103814

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-7091-0381-9, 978-3-7091-0381-4


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