Galliumverbindung
- Taschenbuch2011, ISBN: 1158999208, Lieferbar binnen 4-6 Wochen Versandkosten:Versandkostenfrei innerhalb der BRD
Internationaler Buchtitel. Verlag: General Books, Paperback, 36 Seiten, L=228mm, B=154mm, H=2mm, Gew.=64gr, [GR: 26600 - TB/Geowissenschaften], [SW: - Science / Earth Sciences / General]… Mehr…
Internationaler Buchtitel. Verlag: General Books, Paperback, 36 Seiten, L=228mm, B=154mm, H=2mm, Gew.=64gr, [GR: 26600 - TB/Geowissenschaften], [SW: - Science / Earth Sciences / General], Kartoniert/Broschiert, Klappentext: Quelle: Wikipedia. Seiten: 33. Nicht dargestellt. Kapitel: Galliumnitrid, Galliumarsenid, Galliumorthophosphat, Galliumoxid, Indiumgalliumnitrid, Gallium(III)-chlorid, Aluminiumgalliumarsenid, Galliumphosphid, Terbium-Gallium-Granat, Galliumantimonid. Auszug: Galliumnitrid (GaN) ist ein III-V-Halbleiter mit großer elektronischer Bandlücke (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzfeldeffekttransistoren Verwendung findet. Darüber hinaus ist es für Sensorikanwendungen geeignet. Es lässt sich vermutlich, durch Dotieren mit z. B. Mangan, ein bei Raumtemperatur magnetischer Halbleiter realisieren, wie er für die Spintronik von Interesse ist. Das Material wurde um 1930 zum ersten Mal synthetisiert und 1969 von Maruska und Tietjen erstmals mittels Hydridgasphasenepitaxie epitaktisch als Schicht aufgewachsen. 1971 gelang Manasevit, Erdmann und Simpson zum ersten Mal über MOCVD das Wachstum von GaN, was als wichtiger Schritt in der weiteren Entwicklung gelten kann. GaN kristallisiert vorzugsweise in der (hexagonalen) Wurtzit-Struktur, die kubische Zinkblende-Modifikation ist nicht stabil. Das Hauptproblem in der Herstellung von GaN-basierten Bauelementen lag und liegt an der Schwierigkeit, aus GaN große Einkristalle herzustellen, um daraus hochwertige GaN-Wafer zu fertigen. Deshalb muss noch immer auf Fremdsubstrate ausgewichen werden, wobei hauptsächlich Saphir und SiC Verwendung finden. Die Qualität der (heteroepitaktischen) Schichten auf Fremdsubstraten wurde durch die Arbeiten der Gruppe von Akasaki und von Nakamura Ende der 1980er Jahre sehr vorangetrieben. Eine weitere Herausforderung stellt die p-Dotierung des Halbleitermaterials dar, die für fast alle optoelektronischen Bauelemente notwendig ist. Sie gelang erstmals der Gruppe um Akasaki im Jahre 1988, dann 1992 auch Shuji Nakamura mit einem modifizierten Ansatz. Dies führte zur ersten kommerziellen blauen LED die seit 1993 von Nichia vertrieben wird, sowie später zum ersten blauen Halbleiter-Laser (1997, Nichia). Bis dahin basierten blaue LEDs auf dem Material Siliciumcarbid, das als indirekter Halbleiter für eine effiziente Lichtemission schlecht geeignet ist. Mit Quelle: Wikipedia. Seiten: 33. Nicht dargestellt. Kapitel: Galliumnitrid, Galliumarsenid, Galliumorthophosphat, Galliumoxid, Indiumgalliumnitrid, Gallium(III)-chlorid, Aluminiumgalliumarsenid, Galliumphosphid, Terbium-Gallium-Granat, Galliumantimonid. Auszug: Galliumnitrid (GaN) ist ein III-V-Halbleiter mit großer elektronischer Bandlücke (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzfeldeffekttransistoren Verwendung findet. Darüber hinaus ist es für Sensorikanwendungen geeignet. Es lässt sich vermutlich, durch Dotieren mit z. B. Mangan, ein bei Raumtemperatur magnetischer Halbleiter realisieren, wie er für die Spintronik von Interesse ist. Das Material wurde um 1930 zum ersten Mal synthetisiert und 1969 von Maruska und Tietjen erstmals mittels Hydridgasphasenepitaxie epitaktisch als Schicht aufgewachsen. 1971 gelang Manasevit, Erdmann und Simpson zum ersten Mal über MOCVD das Wachstum von GaN, was als wichtiger Schritt in der weiteren Entwicklung gelten kann. GaN kristallisiert vorzugsweise in der (hexagonalen) Wurtzit-Struktur, die kubische Zinkblende-Modifikation ist nicht stabil. Das Hauptproblem in der Herstellung von GaN-basierten Bauelementen lag und liegt an der Schwierigkeit, aus GaN große Einkristalle herzustellen, um daraus hochwertige GaN-Wafer zu fertigen. Deshalb muss noch immer auf Fremdsubstrate ausgewichen werden, wobei hauptsächlich Saphir und SiC Verwendung finden. Die Qualität der (heteroepitaktischen) Schichten auf Fremdsubstraten wurde durch die Arbeiten der Gruppe von Akasaki und von Nakamura Ende der 1980er Jahre sehr vorangetrieben. Eine weitere Herausforderung stellt die p-Dotierung des Halbleitermaterials dar, die für fast alle optoelektronischen Bauelemente notwendig ist. Sie gelang erstmals der Gruppe um Akasaki im Jahre 1988, dann 1992 auch Shuji Nakamura mit einem modifizierten Ansatz. Dies führte zur ersten kommerziellen blauen LED die seit 1993 von Nichia vertrieben wird, sowie später zum ersten blauen Halbleiter-Laser (1997, Nichia). Bis dahin basierten blaue LEDs auf dem Material Siliciumcarbid, das als indirekter Halbleiter für eine effiziente Lichtemission schlecht geeignet ist. Mit<
