2012, ISBN: 9783642297953

Gebunden, 404 Seiten, 246mm x 173mm x 28mm, Sprache(n): ger Praxisbezogene Behandlung der Bauelemente der LeistungselektronikHilft bei der Analyse der FehlerursachenAktualisiert auf den n… Mehr…

Gebunden, 404 Seiten, 246mm x 173mm x 28mm, Sprache(n): ger Praxisbezogene Behandlung der Bauelemente der LeistungselektronikHilft bei der Analyse der FehlerursachenAktualisiert auf den neuesten Stand der TechnikIncludes supplementary material: sn.pub/extrasIncludes supplementary material: sn.pub/extrasHalbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit und machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. In dem Band wird neben den Halbleiter-Leistungsbauelementen selbst auch die Aufbau- und Verbindungstechnik behandelt: von den physikalischen Grundlagen und der Herstellungstechnologie über einzelne Bauelemente bis zu thermomechanischen Problemen, Zerstörungsmechanismen und Störungseffekten. Die 2., überarbeitete Auflage berücksichtigt technische Neuerungen und Entwicklungen.Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GTO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Universität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des ZfM, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen Universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt. Versandkostenfreie Lieferung Bipolare Transistoren, Halbleiter, Halbleiterphysik, Halbleiterphysikalische Grundlagen, Herstellungstechnologie, IGBTs, MOS Transistoren, MOSFET, Robustheit, Schnelle Dioden, Schottky-Dioden, SchwingungseffekteSiC Bauelemente, Systemintegration, Thyristoren, pn-Übergänge, Superjunction Bauelemente, Bauelement (elektronisch) - Baustein (elektronisch), Elektronik / Bauelemente, Halbleiter / Elektronik, [PU: Springer, Berlin/Heidelberg/New York, NY]<

2012, ISBN: 3642297951

Gebundene Ausgabe

[EAN: 9783642297953], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Springer Berlin Heidelberg], BAUELEMENT (ELEKTRONISCH) - BAUSTEIN (ELEKTRONISCH); ELEKTRONIK / BAUELEMENTE; HALBLEITER ELEKTRONIK; BIPOLARE … Mehr…

[EAN: 9783642297953], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Springer Berlin Heidelberg], BAUELEMENT (ELEKTRONISCH) - BAUSTEIN (ELEKTRONISCH); ELEKTRONIK / BAUELEMENTE; HALBLEITER ELEKTRONIK; BIPOLARE TRANSISTOREN; HALBLEITER; HALBLEITERPHYSIK; HALBLEITERPHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN; HERSTELLUNGSTECHNOLOGIE; IGBTS; MOS MOSFET; ROBUSTHEIT; SCHNELLE DIODEN; SCHOTTKY-DIODEN; SCHWINGUNGSEFFEKTESIC SYSTEMINTEGRATION; THYRISTOREN; PN-ÜBERGÄNGE; SUPERJUNCTION BAUELEMENTE, Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet. Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage. Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden., Books<

2012, ISBN: 3642297951

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[EAN: 9783642297953], Neubuch, [PU: Springer Berlin Heidelberg], BAUELEMENT (ELEKTRONISCH) - BAUSTEIN (ELEKTRONISCH); ELEKTRONIK / BAUELEMENTE; HALBLEITER ELEKTRONIK; BIPOLARE TRANSISTORE… Mehr…

[EAN: 9783642297953], Neubuch, [PU: Springer Berlin Heidelberg], BAUELEMENT (ELEKTRONISCH) - BAUSTEIN (ELEKTRONISCH); ELEKTRONIK / BAUELEMENTE; HALBLEITER ELEKTRONIK; BIPOLARE TRANSISTOREN; HALBLEITER; HALBLEITERPHYSIK; HALBLEITERPHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN; HERSTELLUNGSTECHNOLOGIE; IGBTS; MOS MOSFET; ROBUSTHEIT; SCHNELLE DIODEN; SCHOTTKY-DIODEN; SCHWINGUNGSEFFEKTESIC SYSTEMINTEGRATION; THYRISTOREN; PN-ÜBERGÄNGE; SUPERJUNCTION BAUELEMENTE, Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet. Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage. Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden., Books<

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2. Aufl. 2012 Gebundene Ausgabe Bauelement (elektronisch) - Baustein (elektronisch), Elektronik / Bauelemente, Halbleiter / Elektronik, Elektrotechnik, Elektronik, Bipolare Transistoren… Mehr…

2. Aufl. 2012 Gebundene Ausgabe Bauelement (elektronisch) - Baustein (elektronisch), Elektronik / Bauelemente, Halbleiter / Elektronik, Elektrotechnik, Elektronik, Bipolare Transistoren; Halbleiter; Halbleiterphysik; Halbleiterphysikalische Grundlagen; Herstellungstechnologie; IGBTs; MOS Transistoren; MOSFET; Robustheit; Schnelle Dioden; Schottky-Dioden; SchwingungseffekteSiC Bauelemente; Systemintegration; Thyristoren; pn-Übergänge; Superjunction Bauelemente, mit Schutzumschlag 11, [PU:Springer Berlin Heidelberg; Springer Berlin]<

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[EAN: 9783642297953], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Springer Berlin Heidelberg], BAUELEMENT (ELEKTRONISCH) - BAUSTEIN ELEKTRONIK BAUELEMENTE HALBLEITER BIPOLARETRANSISTOREN HALBLEITERPHYSIK HA… Mehr…

[EAN: 9783642297953], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Springer Berlin Heidelberg], BAUELEMENT (ELEKTRONISCH) - BAUSTEIN ELEKTRONIK BAUELEMENTE HALBLEITER BIPOLARETRANSISTOREN HALBLEITERPHYSIK HALBLEITERPHYSIKALISCHEGRUNDLAGEN HERSTELLUNGSTECHNOLOGIE IGBTS MOSTRANSISTOREN MOSFET ROBUSTHEIT S TECHNIK ELEKTROTECHNIK, Books<