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Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen: Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs
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Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen: Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs - gebrauchtes Buch

ISBN: 9783639340280

ID: 82808a2403bc81db1e6a8c5961bd7f65

GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die b GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben., [PU: VDM Verlag Dr. Müller, Saarbrücken]

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Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen - Thomas Wunderer
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Thomas Wunderer:

Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen - neues Buch

ISBN: 9783639340280

ID: 0ff5a1459a97dda6834db974cf631f70

GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben. Bücher / Naturwissenschaften, Medizin, Informatik & Technik / Physik & Astronomie / Elektrizität, Magnetismus & Optik, [PU: VDM Verlag Dr. Müller, Saarbrücken]

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Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen - Thomas Wunderer
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Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen - neues Buch

2011

ISBN: 9783639340280

ID: 210382087

GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben. Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs Bücher > Sachbücher > Naturwissenschaften & Technik > Physik Taschenbuch 01.03.2011 Buch (dtsch.), VDM, .201

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Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen - Thomas Wunderer
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Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen - neues Buch

ISBN: 9783639340280

ID: e6f5b5716a7c40d0b8215420b3339916

Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben. Bücher / Sachbücher / Naturwissenschaften & Technik / Physik 978-3-639-34028-0, VDM

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Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen - neues Buch

ISBN: 9783639340280

ID: 116728306

GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben. Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs Buch (dtsch.) Bücher>Sachbücher>Naturwissenschaften & Technik>Physik, VDM

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Details zum Buch
Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen: Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs
Autor:

Wunderer, Thomas

Titel:

Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen: Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs

ISBN-Nummer:

3639340280

GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben.

Detailangaben zum Buch - Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen: Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs


EAN (ISBN-13): 9783639340280
ISBN (ISBN-10): 3639340280
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2011
Herausgeber: VDM Verlag

Buch in der Datenbank seit 26.05.2007 16:36:22
Buch zuletzt gefunden am 11.01.2017 14:18:29
ISBN/EAN: 3639340280

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-639-34028-0, 978-3-639-34028-0

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