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Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors / Amit Chaudhry / Buch / HC gerader Rücken kaschiert / XIV / Englisch / 2013 / Springer New York / EAN 9781461468219 - Chaudhry, Amit
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Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors / Amit Chaudhry / Buch / HC gerader Rücken kaschiert / XIV / Englisch / 2013 / Springer New York / EAN 9781461468219 - gebunden oder broschiert

2013, ISBN: 9781461468219

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2013, ISBN: 9781461468219

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Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors - Amit Chaudhry
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Amit Chaudhry:
Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors - neues Buch

2023

ISBN: 9781461468219

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2013, ISBN: 1461468213

2013 Gebundene Ausgabe Elektronik / Mikroelektronik, Mikroelektronik, Optik, Nanowissenschaften, Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien, Elektronik… Mehr…

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ISBN: 9781461468219

Hardback, [PU: Springer-Verlag New York Inc.], Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind na… Mehr…

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-κ technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.

Detailangaben zum Buch - Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors


EAN (ISBN-13): 9781461468219
ISBN (ISBN-10): 1461468213
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2013
Herausgeber: Springer-Verlag GmbH
201 Seiten
Gewicht: 0,464 kg
Sprache: Englisch

Buch in der Datenbank seit 2008-11-24T03:58:44+01:00 (Berlin)
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ISBN/EAN: 1461468213

ISBN - alternative Schreibweisen:
1-4614-6821-3, 978-1-4614-6821-9
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: amit, chaudhry
Titel des Buches: the fundamentals, transistors, transistor, amit


Daten vom Verlag:

Autor/in: Amit Chaudhry
Titel: Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
Verlag: Springer; Springer US
201 Seiten
Erscheinungsjahr: 2013-04-23
New York; NY; US
Gedruckt / Hergestellt in Niederlande.
Gewicht: 4,498 kg
Sprache: Englisch
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 201 p. 121 illus., 102 illus. in color.

BB; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Verstehen; Ballistic Effect Devices; Biaxial Strained Si Technology; Compact MOSFET Models; Electron Devices; MOSFETs at Nanoscale; Nanoscale MOS Transistors; Nanoscale MOSFET; Transistor Quantum Effects; Electronic Circuits and Devices; Circuits and Systems; Nanoscale Science and Technology; Optical and Electronic Materials; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Electronic Circuits and Systems; Nanophysics; Optical Materials; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Nanowissenschaften; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; EA; BC

gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-κ technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors

Scaling of a MOS Transistor.- Nanoscale Effects- Gate Oxide Leakage Currents.- Nanoscale Effects- Inversion Layer Quantization.- Dielectrics for Nanoelectronics.- Germanium Technology.- Biaxial s-Si Technology.- Uniaxial s-Si Technology.- Alternate MOS Structures.- Graphene Technology.

gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-κ technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.

In summary, this book:

Covers the fundamental principles behind nanoelectronics/microelectronics

Includes chapters devoted to solutions tackling the quantum mechanical effects occurring at nanoscale

Provides some case studies to understand the issue mathematically

is an ideal book for researchers and undergraduate and graduate students in the field of microelectronics, nanoelectronics, and electronics.

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors

Covers the fundamental principles behind nanoelectronics/microelectronics

Includes chapters devoted to solutions tackling the quantum mechanical effects occurring at nanoscale

Provides some case studies to understand the issue mathematically

Includes supplementary material: sn.pub/extras



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